近空间升华炉
近空间升华炉-简易型
型号:QJ-RTP1000J
用途:利用近空间升华法制备CdTe薄膜和CdS多晶薄膜
规格:长920×深500×高560
特点:体积小巧,操作方便
真空:极限真空度≤10-3Pa(需配分子泵机组)系统抽真空能力(大气到10-2Pa)≤5min
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产品详情
产品参数

该产品主要适用于近空间升华法制备样品薄膜,例如CdTe和CdS薄膜。设备结构上采用双管结构,外管直径为110mm,一端封闭,内管直径为90mm。工艺气氛从外管通入,内管流出,使得气氛更充分地与样品接触。通过炉膛左右移动实现快速升降温。

近空间升华炉-简易型.jpg

结构特点:


1. 炉膛内采用上下两层加热结构,分别负责衬底和源的加热。加热元件为双丝卤钨红外灯管。

2. 炉膛加热到用户设定的时间后自动移开,实现快速降温。

3. 实验完成后可将放料托架打开,将石英外管移动到左端,露出样品可方便取放。

4. 7英寸触摸屏操作,设定曲线实时显示。

5. 本方案采用两块石墨板对样品衬底和源进行分别均热,上下层热电偶探头分别插入石墨板内进行控温,使得两部分的温度均匀性分别达到3℃以内。


项目: 参数
真空: 极限真空度≤10-3Pa(需配分子泵机组)系统抽真空能力(大气到10-2Pa)≤5min
真空获取: 采用分子泵机组真空系统达到≤10-3Pa,或2L直联旋片式机械泵达到≤10Pa
真空计: 皮拉尼高精度真空计(最低显示1×10-3Pa)
加热方式: 灯管红外加热
最高温度: 800℃
升温速率: 10℃/s
降温速率: 1、可控降温(软件自动控制);2、自然冷却(移走加热炉膛)
温控精度: ≤±1℃
温控方式: 分区加热,分区控温。如图所示,衬底加热与源加热分离,独立控温。石墨块内有测温点,可监控基板温度。平台三个部分可独立移动。基板(实验样品)
尺寸: 3inch×3inch
温控系统: 可实现精确自动控温,10段升降温程序,预存100条以上曲线
测温方式: K型热电偶
控温点: 2个(上下石墨匀热板)
测温点: 3个临时测温点,可通过法兰处插入到腔内不同位置,用来检测腔体温度分布。
恒温区: 100mm(处理1片3inch×3inch基板)
恒温区炉温均匀性: ±3℃
温度自动补偿功能: 温控仪增加环境温度自动补偿功能
工艺气氛: O2,N2,干燥空气,3路供气(可实现气氛不同比例混合)
气体控制: O2:0~500sccm 精度:±1.0%F.S. N2:0~500sccm 精度:±1.0%F.S.干燥空气:0~1000sccm 精度:±1.0%F.S.
冷却循环水: 连接法兰(8mm宝塔接头)
样品冷却: 炉膛自动移开,强制风冷
额定功率: 220V,15kw
外形尺寸: 长920×深500×高560